高頻薄膜材料介電常數(shù)測(cè)試儀

GCSTD-A/B

一、滿足標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

GB/T 5654-2007液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量

GB/T 21216-2007絕緣液體 測(cè)量電導(dǎo)和電容確定介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法

GB/T 1693-2007硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法

GB/T 5594.4-1985__電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法

GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)

損耗因數(shù)的推薦方法

ASTM D150/IEC 60250固體電絕緣材料的(恒久電介質(zhì))的交流損耗特性和介電常數(shù)的測(cè)試方法

二、主要用途

高頻薄膜材料介電常數(shù)測(cè)試儀-主要用于測(cè)量非金屬材料的介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）

三、產(chǎn)品概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

四、測(cè)試原理與方法

測(cè)試原理

儀器向被測(cè)材料施加一個(gè)高頻電場(chǎng)，同時(shí)檢測(cè)材料內(nèi)部的電場(chǎng)分布和電流變化。

根據(jù)測(cè)量到的數(shù)據(jù)，儀器利用一系列復(fù)雜的算法計(jì)算出材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗。

測(cè)試方法

平行板法：將兩個(gè)電極平行放置并夾持被測(cè)材料形成一個(gè)電容器，然后向電容器施加一個(gè)高頻電場(chǎng)并測(cè)量其電容和耗散因子。

接觸電極法：將電極放置在被測(cè)材料表面并施加一個(gè)高頻電場(chǎng)，然后測(cè)量電極與材料之間的電容和耗散因子。